IRLD014, SiHLD014
Vishay Siliconix
L
V ary t p to o b tain
req u ired I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R g
D.U.T.
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 W
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
C u rrent reg u lator
Same type as D.U.T.
V GS
Q G
12 V
0.2 μ F
50 k Ω
0.3 μ F
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
C u rrent sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91307
S10-2465-Rev. D, 08-Nov-10
相关PDF资料
IRLHM620TR2PBF MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
IRLI2203N MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2505 MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
IRLI2910 MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
IRLI3803 MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
IRLI520N MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
IRLI530N MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
IRLI540N MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
相关代理商/技术参数
IRLD014PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLD024 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLD024_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLD024PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLD110 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLD110PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLD120 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLD120PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube